Multigate deviceA multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).
ResonatorA resonator is a device or system that exhibits resonance or resonant behavior. That is, it naturally oscillates with greater amplitude at some frequencies, called resonant frequencies, than at other frequencies. The oscillations in a resonator can be either electromagnetic or mechanical (including acoustic). Resonators are used to either generate waves of specific frequencies or to select specific frequencies from a signal. Musical instruments use acoustic resonators that produce sound waves of specific tones.
Ingénierie électroniquevignette|Amplificateur L’ingénierie électronique est la branche de l’ingénierie qui traite les nouvelles technologies (téléphone portable, télévision...). Ils peuvent aussi bien programmer que créer le produit en question. Cela inclut l’ingénierie des appareils électroniques ainsi que l'ingénierie de la programmation. D’autres branches de l’ingénierie comme l’ingénierie biomédicale, les télécommunications et le génie informatique ont été, au moment de leur naissance, seulement des spécialisations de l’ingénierie électronique.
Dielectric lossIn electrical engineering, dielectric loss quantifies a dielectric material's inherent dissipation of electromagnetic energy (e.g. heat). It can be parameterized in terms of either the loss angle δ or the corresponding loss tangent tan(δ). Both refer to the phasor in the complex plane whose real and imaginary parts are the resistive (lossy) component of an electromagnetic field and its reactive (lossless) counterpart.
Spectre électromagnétiquevignette|redresse=1.5|Diagramme montrant le spectre électromagnétique dans lequel se distinguent plusieurs domaines spectraux en fonction des longueurs d'onde (avec des exemples de tailles), les fréquences correspondantes, et les températures du corps noir dont l'émission est maximum à ces longueurs d'onde. Le spectre électromagnétique est le classement des rayonnements électromagnétiques par fréquence et longueur d'onde dans le vide ou énergie photonique. Le spectre électromagnétique s'étend sans rupture de zéro à l'infini.
65 nmthumb|Processeur XCPU Falcon gravé en 65 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé de fabrication par CMOS. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 2006. Les processeurs Xenon de la génération "Falcon" sont gravés en technologie 65 nm, ainsi que les POWER6 et les Itanium 4 cores sortis en 2008. C'est également avec cette finesse qu'étaient gravés les CPU et GPU de certains modèles de PlayStation 3.
Ultra haute fréquenceLa bande des ultra hautes fréquences (ultra high frequency/UHF) est la bande du spectre radioélectrique comprise entre et , soit les longueurs d'onde de à . La bande UHF est le terme officiel désignant les fréquences radio de 300 à , mais la partie haute appartient plus généralement au domaine technique des « hyperfréquences » qui s'étend de () à . On y trouve donc des appellations anciennes et largement utilisées comme la Bande L et la Bande S.
Rigidité diélectriqueLa rigidité diélectrique d’un milieu isolant représente la valeur maximum du champ électrique que le milieu peut supporter avant le déclenchement d’un arc électrique (donc d’un court-circuit). On parle alors de claquage de l'isolant. C'est l'une des caractéristiques principales des isolants. On utilise aussi l'expression champ disruptif qui est synonyme mais plus fréquemment utilisée pour qualifier la tenue d'une installation, alors que le terme rigidité diélectrique est plus utilisé pour qualifier un matériau.
Atomic layer depositionL’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
Microsystème électromécaniquevignette|Un accéléromètre MEMS. vignette|Un capteur de pression MEMS (sur une pièce qui donne l'échelle). Un microsystème électromécanique est un microsystème fabriqué à partir de matériaux semi-conducteurs. Il comprend un ou plusieurs éléments mécaniques et utilise l’électricité comme source d’énergie, en vue de réaliser une fonction de capteur ou d’actionneur, avec au moins une structure présentant des dimensions micrométriques ; la fonction du système étant en partie assurée par la forme de cette structure.
