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Explore la création de défauts dans les matériaux électroniques à grande surface, en mettant l'accent sur le silicium amorphe et en discutant de l'efficacité du dopage, de la densité estimée des défauts et des défauts induits par la lumière.
Explore la physique des semi-conducteurs sous des champs électriques élevés, en discutant du transport des porteurs, des processus de recombinaison et de l'impact de l'injection.
Discute des porteurs de charge dans les matériaux organiques, en se concentrant sur les solitons, les polarons et leurs implications pour le transport de charge et les performances des appareils.
Explore le transport, la génération et la recombinaison dans les semi-conducteurs, couvrant les conductivités de dérive et de diffusion, les mécanismes de piégeage, divers canaux de recombinaison, et le rôle des pièges et des centres de recombinaison.
Explore le transport, la recombinaison, la conductivité sombre et la photoconductivité dans les matériaux électroniques, soulignant l'importance des mécanismes de recombinaison dans les semi-conducteurs.
