Cette séance de cours couvre l'élimination et le dépôt de couches minces dans la technologie CMOS, y compris les techniques de gravure humide et sèche, le polissage mécano-chimique et les méthodes de dépôt de couches minces. Il explique les paramètres d'élimination des couches minces, tels que la vitesse de gravure, la sélectivité, l'anisotropie et l'uniformité. Le processus de dépôt chimique en phase vapeur et de dépôt physique en phase vapeur est détaillé, ainsi que des exemples de PVD par évaporation et pulvérisation cathodique. Il traite également de la formation des couches minces, de la couverture des pas et du rapport d'aspect. La séance de cours se termine par un aperçu de l'intégration des processus dans la technologie CMOS, en se concentrant sur les processus front-end et back-end de la ligne.