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Cette séance de cours couvre les principes fondamentaux du dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un processus impliquant des réactions chimiques pour déposer des matériaux comme le tungstène à des températures élevées. Il explique l'utilisation de la phase gazeuse pour le dépôt conforme, présente un réacteur CVD thermique et détaille le processus CVD, y compris le flux de gaz, la thermodynamique et la cinétique de croissance du film. L'importance de contrôler le débit, la pression et la température du gaz pour une croissance uniforme du film est soulignée, ainsi que la classification des MCV en fonction de la pression et des types de réacteurs.