Séance de cours
Cette séance de cours couvre diverses techniques de gravure sèche pour le silicium, y compris la gravure sèche profonde utilisant les chimies SF6 et C4F8, la gravure pulsée avec le procédé Bosch et la gravure au gaz XeF2 sans plasma. Il traite également des paramètres caractéristiques des profils de gravure, des effets de microtrenching et de la gravure dépendante du rapport d'aspect. Les équipements utilisés pour la gravure sèche, tels que les sources de plasma RF, les chambres à vide et les graveurs en phase vapeur HF, sont expliqués en détail, ainsi que leurs fonctionnalités. En outre, la séance de cours explore la gravure en phase vapeur HF des couches de SiO2 et de SiO2 sacrificiel, soulignant leur importance dans la fabrication de MEMS.