Lithographie de sonde de balayage: techniques de structuration à l'échelle nanométrique

Cette séance de cours couvre les principes et les applications de la lithographie par sonde à balayage (SPL) pour la structuration à l'échelle nanométrique. Les sujets abordés comprennent les variations des techniques SPL, l'exposition de la résistance par microscopie à force atomique (AFM), l'oxydation locale, la nanolithographie Dip-Pen (DPN) et les distributeurs à l'échelle nanométrique. L'instructeur discute de la nature et de l'ampleur de l'interaction dans les variations SPL, SPL comme mécanique et thermique, et les avantages de l'exposition AFM par rapport à la lithographie par faisceau d'électrons (EBL). En outre, la séance de cours explore les capacités de DPN avec différentes encres et l'évolution de Dip Pen aux systèmes de réservoirs d'encre. L'utilisation de l'oxydation locale renforcée par champ pour l'oxydation du silicium et la résolution fine atteinte sont également mises en évidence.