Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Examine la dynamique de transmission et de spin ultrarapide dans les semi-conducteurs 2D et leurs hétérostructures, explorant des réponses optiques uniques et des applications nouvelles.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Déplacez-vous dans les limites fondamentales de la dissipation de puissance dans l'informatique et explorez des concepts émergents utilisant des matériaux 2D.
Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.
Explore la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, la résistance quantique, la conductance quantifiée, les défis d'injection de spin et les stratégies de réduction de la résistance au contact.
Explore les techniques de spectroscopie d'énergie comme XPS et UPS, la spectroscopie Auger, la sensibilité de surface et la structure de bande de graphène.
Explore les propriétés électriques et magnétiques des matériaux, y compris les semi-conducteurs, le comportement diélectrique et les phénomènes optiques.
Explore les dispositifs semi-conducteurs développement historique, résistance au contact, caractéristiques FET, limite quantique, contacts de matériaux 2D, et mécanismes de charge-injection.
