Séance de cours
Cette séance de cours couvre le processus de fabrication d'un onduleur CMOS, en commençant par la création du puits n et la définition du p-MOSFET et du n-MOSFET. Il explique ensuite les étapes de définition de la grille en silicium polycristallin, de la diffusion pt, de la diffusion nt, des trous de contact et des connexions métalliques. La séance de cours explore également les processus d'oxydation thermique et de dopage impliqués dans la création de zones de conductivité contrôlées. Il explore en outre les techniques de diffusion et d'implantation ionique, en soulignant leur importance dans les processus de fabrication CMOS modernes. La séance de cours se termine par un aperçu du transfert des motifs à la surface de la plaquette, y compris les types de photorésists et les méthodes d'impression utilisées dans le processus.