Séance de cours
Cette séance de cours couvre les principes fondamentaux de la gravure sèche dans un plasma de gaz, y compris la directionnalité de la gravure, la gravure anisotropie, et la sélection des processus de gravure sèche. Il explique comment les radicaux fluor chimiquement réactifs sont produits dans un plasma pour graver des matériaux comme le silicium de manière isotrope. La séance de cours traite également de l'utilisation de différents gaz comme Ar, CF4 et C4F8 pour la gravure ou la passivation des films. En outre, il explore des méthodes pour augmenter l'anisotropie de gravure par la protection de flanc et fournit des règles simples pour choisir des etchants secs basés sur des facteurs tels que le rapport fluor-carbone, le biais de substrat, et le matériau étant gravé.