Séance de cours
Cette séance de cours couvre diverses techniques de gravure sèche utilisées dans le traitement des semi-conducteurs, allant du réacteur à baril développé à la fin des années 1960 aux sources de plasma modernes telles que le plasma à couplage inductif (ICP), la résonance cyclotron électronique (ECR) et les sources hélicon. Il explique les principes sous-jacents à chaque technique, tels que l'utilisation du plasma d'oxygène pour l'élimination du photorésist, les réacteurs chimiques en aval pour les processus de gravure critiques, et l'importance du bombardement ionique dans l'accélération de la vitesse de gravure. Les limites des réacteurs à diodes sont discutées, ainsi que des solutions pour contrôler l'énergie et le flux ioniques. De nouveaux réacteurs développés au début des années 1990 sont également introduits, soulignant leurs avantages à réduire les dommages induits par les ions et à améliorer la sélectivité couche-à-masque.