Present valueIn economics and finance, present value (PV), also known as present discounted value, is the value of an expected income stream determined as of the date of valuation. The present value is usually less than the future value because money has interest-earning potential, a characteristic referred to as the time value of money, except during times of zero- or negative interest rates, when the present value will be equal or more than the future value. Time value can be described with the simplified phrase, "A dollar today is worth more than a dollar tomorrow".
Valeur actuelle netteLa valeur actuelle nette (VAN, en anglais : net present value, NPV) est une mesure de la rentabilité d'un investissement calculée comme la somme des flux de trésorerie engendrés par cette opération, chacun étant actualisé de façon à réduire son importance dans cette somme à mesure de son éloignement dans le temps. Si le taux d'actualisation est choisi convenablement, l'investissement sera réputé rentable et donc retenu si et seulement si sa valeur actuelle nette est positive.
Linear scaleA linear scale, also called a bar scale, scale bar, graphic scale, or graphical scale, is a means of visually showing the scale of a map, nautical chart, engineering drawing, or architectural drawing. A scale bar is common element of map layouts. On large scale maps and charts, those covering a small area, and engineering and architectural drawings, the linear scale can be very simple, a line marked at intervals to show the distance on the earth or object which the distance on the scale represents.
Intégration à très grande échelleL'intégration à très grande échelle (ou VLSI pour Very-Large-Scale Integration en anglais) est une technologie de circuit intégré (CI) dont la densité d'intégration permet de supporter plus de 100 000 composants électroniques sur une même puce. Elle a été réalisée pour la première fois dans les années 1980, dans le cadre du développement des technologies des semi-conducteurs et des communications. Les premières puces à semi-conducteurs supportaient un seul transistor chacune.
Complementary metal oxide semi-conductorvignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Ablation laser pulséL'ablation laser pulsé (en anglais Pulsed Laser Deposition ou PLD) est une méthode de dépôt en couches minces utilisant un laser de très forte puissance. Elle permet de facilement produire divers alliages binaires. Expérimentée pour la première fois en 1965, par H.M. Smith et A.F. Turner, la découverte de l'ablation laser pulsé fait suite aux récentes avancées concernant l'étude et la compréhension des phénomènes d'interactions entre les lasers et les surfaces solides.
Échelle (proportion)Une échelle est le rapport entre la mesure d'un objet réel et la mesure de sa représentation (carte géographique, maquette). Elle est exprimée par une valeur numérique, généralement sous la forme d'une fraction. Une échelle 1/100 (ou 1:100, ou « au ») implique la relation : où est la distance apparente et la distance réelle. Dans l'exemple ci-dessus, la représentation est plus petite que l'objet réel : sur le plan représente dans la réalité, soit .
Cadmium telluride photovoltaicsCadmium telluride (CdTe) photovoltaics is a photovoltaic (PV) technology based on the use of cadmium telluride in a thin semiconductor layer designed to absorb and convert sunlight into electricity. Cadmium telluride PV is the only thin film technology with lower costs than conventional solar cells made of crystalline silicon in multi-kilowatt systems. On a lifecycle basis, CdTe PV has the smallest carbon footprint, lowest water use and shortest energy payback time of any current photovoltaic technology.
Dépôt chimique en phase vapeurvignette|Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. La CVD est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans l'industrie du semi-conducteur pour produire des couches minces. Dans un procédé CVD typique, le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré.
Transparent conducting filmTransparent conducting films (TCFs) are thin films of optically transparent and electrically conductive material. They are an important component in a number of electronic devices including liquid-crystal displays, OLEDs, touchscreens and photovoltaics. While indium tin oxide (ITO) is the most widely used, alternatives include wider-spectrum transparent conductive oxides (TCOs), conductive polymers, metal grids and random metallic networks, carbon nanotubes (CNT), graphene, nanowire meshes and ultra thin metal films.
