Junction Field Effect TransistorUn transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux avec un canal de type P. Le JFET est né le lorsque William Shockley dévoile que son équipe du laboratoire Bell a mis au point un tout nouveau transistor à jonction.
Ion Sensitive Field Effect TransistorL’ISFET, ou Ion Sensitive Field Effect Transistor, est un type de transistor à effet de champ dont la broche gate est sensible aux variations de concentration en ions. Sa principale utilisation est la mesure du pH. La broche gate est réalisée dans un matériau sensible à la concentration en ion hydrogène, ce qui fait varier la tension de seuil en conséquence. En pratique il s'agit de nitrure de silicium (SiN) ou d'oxyde d'aluminium (AlO) ou de tantale (TaO).
VoltampérométrieLa voltampérométrie (ou voltammétrie) est une méthode d’électroanalyse basée sur la mesure du flux de courant résultant de la réduction ou de l’oxydation des composés tests présents en solution sous l’effet d’une variation contrôlée de la différence de potentiel entre deux électrodes spécifiques. Elle permet d’identifier et de mesurer quantitativement un grand nombre de composés (cations, certains anions, composés organiques), dont certains simultanément, et également d’étudier les réactions chimiques incluant ces composés.
Die (circuit intégré)alt=Puce nue d'un circuit intégré Texas Instruments 5430|vignette|Puce nue d'un circuit intégré Texas Instruments 5430. thumb|en d'un Intel Pentium 4 visible après le retrait de l'IHS. En électronique, un die (de l'anglais) est un petit morceau rectangulaire résultant de la découpe d'un en sur lequel un circuit intégré a été fabriqué. Par extension, « en » désigne le circuit intégré lui-même sans son boîtier, et il est synonyme de puce électronique.
PotentiostatUn potentiostat est un appareil électronique destiné à l'étude des phénomènes électrochimiques. La première méthode potentiostatique a été utilisée par Frederick Cottrell en 1903. Elle consistait en une cellule électrochimique connectée à une batterie en série avec un galvanomètre pour la mesure d'un courant, mais ce simple potentiostat n'était pas capable de mesurer la différence de potentiel à l'interface de l'électrode de travail dans le circuit.
Composant semi-conducteurvignette|Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques). Sa conductivité se situe entre les conducteurs et les isolants. Les composants semi-conducteurs ont remplacé les tubes à vide dans la plupart des applications.
Périphérique d'entréeUn périphérique d'entrée est un équipement informatique périphérique permettant de fournir des données à un système de traitement de l'information tel qu'un ordinateur. vignette|Un clavier d'ordinateur, périphérique d'entrée pour transmettre de l'information en pressant des touches En informatique, les logiciels ont souvent besoin d'entrée fournies par l'utilisateur. Afin de permettre à ce dernier d'interagir avec l'ordinateur, différents types de dispositifs électroniques ont été développés au cours du temps, avec plus ou moins de succès.
Dispositif intelligentUn appareil intelligent (aussi appelé dispositif intelligent ; en anglais, smart device) est un appareil électronique, généralement connecté à d'autres appareils ou réseaux via différents protocoles de communication sans fil tels que Bluetooth, Zigbee, NFC, Wi-Fi, LiFi, 5G, etc., qui peut fonctionner dans une certaine mesure de manière interactive et autonome.
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
MODFETLe MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT (High Electron Mobility Transistor), ou transistor à électron à haute mobilité. Comme les autres FET, les MODFET sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur numérique. vignette|Structure de bande d'un transistor HEMT n-AlGaAs/GaAs montrant la présence d'une zone de gaz d'électrons 2D.
