n(+)-GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application to regrown contacts

Jean-François Carlin, Etienne Giraud, Nicolas Grandjean, Lorenzo Lugani, Marco Malinverni, Daniel Marti
Amer Inst Physics, 2014
Article

Résumé

We report on the low-temperature growth of heavily Si-doped (>10(20) cm(-3)) n(+)-type GaN by N-rich ammonia molecular beam epitaxy (MBE) with very low bulk resistivity (

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https://infoscience.epfl.ch/record/204029?ln=fr

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