Publication

Compressive image acquisition in modern CMOS IC design

Résumé

Compressive sampling (CS) offers bandwidth, power, and memory size reduction compared to conventional (Nyquist) sampling. These are very attractive features for the design of modern complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors, cameras, and camera systems. However, very few integrated circuit (IC) designs based on CS exist because of the missing link between the well-established CS theory on one side, and the practical aspects/effects related to physical IC design on the other side. This paper focuses on the application of compressed image acquisition in CMOS image sensor integrated circuit design. A new CS scheme is proposed, which is suited for hardware implementation in CMOS IC design. All the main physical non-idealities are explained and carefully modeled. Their influences on the acquired image quality are analyzed in the general case and quantified for the case of the proposed CS scheme. The presented methodology can also be used for different CS schemes and as a general guideline in future CS based CMOS image sensor designs.

À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.
Concepts associés (32)
Conception de circuits intégrés
La conception (ou le design) de circuits intégrés (ou puces électroniques) consiste à réaliser les nombreuses étapes de développement (flot de conception ou design flow) nécessaires pour concevoir correctement et sans erreurs une puce électronique. Le point d'entrée est une spécification fonctionnelle qui décrit le fonctionnement voulu de la puce, ainsi que des contraintes non fonctionnelles (surface, coût, consommation...).
Complementary metal oxide semi-conductor
vignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Circuit intégré
Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre. Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.
Afficher plus
Publications associées (129)

A Deep-Learning Approach to Side-Channel Based CPU Disassembly at Design Time

Mirjana Stojilovic

Side-channel CPU disassembly is a side-channel attack that allows an adversary to recover instructions executed by a processor. Not only does such an attack compromise code confidentiality, it can also reveal critical information on the system’s internals. ...
2022

A 500 x 500 Dual-Gate SPAD Imager With 100% Temporal Aperture and 1 ns Minimum Gate Length for FLIM and Phasor Imaging Applications

Edoardo Charbon, Claudio Bruschini, Andrei Ardelean, Paul Mos, Arin Can Ülkü, Michael Alan Wayne

In this article, we report on SwissSPAD3 (SS3), a 500 x 500 pixel single-photon avalanche diode (SPAD) array, fabricated in 0.18-mu m CMOS technology. In this sensor, we introduce a novel dual-gate architecture with two contiguous temporal windows, or gate ...
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2022

Influence of Fin and Finger Number on TID Degradation of 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahigh Doses

Christian Enz

This article investigates the fin- and finger-number dependence of the total ionizing dose (TID) degradation in 16-nm bulk Si FinFETs at ultrahigh doses. n- and p-FinFETs designed with different numbers of fins and fingers are irradiated up to 500 Mrad(SiO ...
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2022
Afficher plus
MOOCs associés (17)
Electronique II
Introduction à l’électronique analogique- seconde partie. Fonctions linéaires de base réalisée à l’aide de transistor bipolaire.
Electronique II
Introduction à l’électronique analogique- seconde partie. Fonctions linéaires de base réalisée à l’aide de transistor bipolaire.
Afficher plus

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.