Mobility Degradation of 28-nm Bulk MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Total Ionizing Doses

Christian Enz, Farzan Jazaeri, Chunmin Zhang
2018
Article de conférence

Résumé

Using the Y-function method, this paper experimentally investigates the effects of total ionizing dose up to 1 Grad on the channel mobility of a commercial 28-nm bulk CMOS process.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/265140?ln=fr

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Mobility Degradation of 28-nm Bulk MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Total Ionizing Doses

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