Dépôt chimique en phase vapeur: formation d'oxyde et ALD

Cette séance de cours couvre les processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour la formation d'oxydes, y compris l'oxydation thermique humide et sèche du silicium, ainsi que le dépôt de couche atomique (ALD) d'Al2O3, Ru et TiN. Il explique les mécanismes et l'équipement utilisés dans ces processus, tels que le processus LOCOS, la configuration de l'équipement ALD et le processus de dépôt en quatre étapes impliquant des précurseurs comme le triméthylaluminium et l'eau. La séance de cours traite également d'exemples d'autres matériaux tels que le TiN, le Ru et le NH3, soulignant leurs températures de dépôt et leurs propriétés chimiques. Dans l'ensemble, il donne un aperçu des techniques de micro et de nanofabrication, en soulignant l'importance du dépôt de couches minces dans les composants microélectroniques.