EPFL Logo
fr|en
Se Connecter
Publication

Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy

Nicolas Grandjean, Marco Malinverni, Denis Martin, Hironori Okumura
2016
Article
Résumé

We grew heavily Mg-doped GaN using ammonia molecular-beam epitaxy. The use of low growth temperature (740 degrees C) allows decreasing the incorporation of donor-like defects (

Source officielle
À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Copyright © 2025 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.