Transistor bipolairevignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.
Porteur de chargeUn porteur de charge est, en sciences physiques, une particule ou une quasi-particule qui porte une charge électrique. En se déplaçant, les porteurs de charge créent un courant électrique, comme les ions dans les solutions liquides et les électrons dans les solides. En électronique cette notion est incontournable, les deux porteurs de charge considérés sont les électrons, portant une charge −e, les trous, peuvent se déplacer assez librement dans le réseau cristallin.
Carrier generation and recombinationIn the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes.
Méthode des éléments finisEn analyse numérique, la méthode des éléments finis (MEF, ou FEM pour finite element method en anglais) est utilisée pour résoudre numériquement des équations aux dérivées partielles. Celles-ci peuvent par exemple représenter analytiquement le comportement dynamique de certains systèmes physiques (mécaniques, thermodynamiques, acoustiques).
MinoritéLa minorité est : L’état d’une personne qui n’a pas encore atteint l'âge légal et ne peut pas être considérée comme pleinement responsable de ses actes, n'étant pas majeure. Voir Majorité civile ; Un état d’infériorité (sens moins courant). Voir minorité nationale et minorité visible ; Dans un groupe donné, le regroupement du plus petit nombre face au regroupement du plus grand nombre, la minorité s’opposant à la majorité : la minorité du parti, du Parlement.
Droits des minoritésLes droits des minorités réfèrent aux droits individuels et collectifs des minorités. La doctrine favorable en droit international désigne deux classes de droits, l'une est le droit matériel et l'autre est appliquée au droit moral. Les droits des minorités sont intégrés au droit international des droits de l'homme. Tout comme le droit de l'enfant, les droits des femmes et les droits des réfugiés, les droits des minorités sont établis dans un cadre construit pour s'assurer qu'un groupe socialement vulnérable y compris les personnes LGBT et handicapées, désavantagé ou exclu puisse atteindre l'égalité et être protégé de la persécution.
Langue minoritaireUne langue minoritaire est une langue parlée par des minorités linguistiques provinciales, nationales ou ethniques, dans un pays donné. Ne sont pas considérées comme langues minoritaires les langues issues de l'immigration ou les dialectes de la langue majoritaire. Elles sont également appelées langues minorisées, autochtones, indigènes, . Dans certains pays, notamment dans la plupart des pays d'Europe (à l'exclusion de la France), mais aussi au Canada et dans l'Afrique du Sud d'après l'apartheid, des lois accordent une définition et un statut particuliers à de telles langues.
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Zone de déplétionEn électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres).
Deep-level transient spectroscopyDeep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. DLTS investigates defects present in a space charge (depletion) region of a simple electronic device. The most commonly used are Schottky diodes or p-n junctions.
