Selective oxidation and selective etching of allnn layers for manufacturing group iii nitride semiconductor devices

Jean-François Carlin, Julien Dorsaz
2007
Brevet

Résumé

A method for including an oxide region in a layered structure being grown epitaxially on a substrate, comprising the steps of epitaxially forming a Group III-nitride precursor layer, and selectively oxidizing the precursor layer, thereby forming the oxide region.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/229060?ln=fr

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Selective oxidation and selective etching of allnn layers for manufacturing group iii nitride semiconductor devices

GaN growth on ScAlMgO4 substrates via thermally-dewetted thin Al films

III-Nitride Semiconductor Photonic Nanocavities on Silicon

Multilayer porous structures on GaN for the fabrication of Bragg reflectors

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