Photodétecteur infrarouge à puits quantiques

Résumé

Le QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector : est un détecteur de rayonnement infrarouge. La gamme de longueurs d'onde couverte en 2007 s'étend de 3 µm à plus de 30 µm. Ce type de détecteur est sensible au rayonnement thermique émis par tout corps dont la température n'est pas nulle (selon la loi de rayonnement du corps noir introduite par Max Planck). Introduction Le QWIP est un détecteur quantique : l'absorption du rayonnement incident se fait par l'intermédiaire d'une transition électronique. Cette transition a lieu entre le niveau fondamental du puits quantique et le premier niveau excité. Si un seul niveau confiné existe, la transition a lieu entre le niveau fondamental et le continuum d'états délocalisés. Les règles de sélection régissant l'interaction entre rayonnement électromagnétique et électrons conduisent à deux caractéristiques très importantes de ce composant :

l'absorption est résonante : le détecteur absorbe dans une bande étroite de longueurs d'onde,

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/Photod%C3%A9tecteur_infrarouge_%C3%A0_puits_quantiques

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (4)

Publications associées

Chargement

Personnes associées

Chargement

Unités associées

Chargement

Concepts associés (4)

redresse=.9|vignette|Bandes d'un semiconducteur. La bande interdite d'un matériau, ou gap, est l'intervalle, situé entre la bande de valence et la bande de conduction, dans lequel la densité d'états

L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs -. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristallin

Une caméra thermique capte le rayonnement infrarouge (ondes de chaleur) émis par les corps et qui varie en fonction de leur température. Une caméra thermique ne permet généralement pas de voir derr

Afficher plus

Concepts associés

Chargement

Cours associés (3)

Cours associés

Chargement

Séances de cours associées (5)

Afficher plus

Séances de cours associées

Chargement

Bloch Surface Waves Using Graphene Layers: An Approach toward In-Plane Photodetectors

Richa Dubey, Hans Peter Herzig, Myun Sik Kim, Babak Vosoughi Lahijani

A dielectric multilayer platform was investigated as a foundation for two-dimensional optics. In this paper, we present, to the best of our knowledge, the first experimental demonstration of absorption of Bloch surface waves in the presence of graphene layers. Graphene is initially grown on a Cu foil via Chemical Vapor Deposition and transferred layer by layer by a wet-transfer method using poly(methyl methacrylate), (PMMA). We exploit total internal reflection configuration and multi-heterodyne scanning near-field optical microscopy as a far-field coupling method and near-field characterization tool, respectively. The absorption is quantified in terms of propagation lengths of Bloch surface waves. A significant drop in the propagation length of the BSWs is observed in the presence of graphene layers. The propagation length of BSWs in bare multilayer is reduced to 17 times shorter in presence of graphene monolayer, and 23 times shorter for graphene bilayer.

2018

Chargement

Bloch Surface Waves Using Graphene Layers: An Approach toward In-Plane Photodetectors

Richa Dubey, Hans Peter Herzig, Myun Sik Kim, Babak Vosoughi Lahijani

2018

Chargement

Si-interdiffusion in heavily doped AlN-GaN-based quantum well intersubband photodetectors

Joab Di Francesco, Nicolas Grandjean, Denis Martin

We demonstrate the effect of rapid thermal annealing on heavily Si-doped AlN/GaN quantum wells. After 1000 degrees C annealing during 5, 10, and 20 min, the dominant effect was interdiffusion of Si rather than intermixing between the Al and Ga atoms. Both their original value and the magnitude of the changes after annealing reveal that intersubband absorption and photovoltage are related to two different optical transitions as follows: absorption occurs in the 1 to 2 intersubband transition, whereas photovoltage is due to a subsequent process from the 1 to 2 and the manifold of 2 to higher order transitions. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3599846]

2011

Chargement