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Couvre le transport de masse dans la couche limite, le transfert de gaz vers le substrat, le calcul du taux de croissance du film et les résultats expérimentaux.
Examine les interactions ion-cible dans les processus de pulvérisation de PVD, couvrant le dépôt composé, les dommages de surface et les facteurs influençant les taux d'éjection des cibles.
Explore les techniques de dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour le dépôt de couches minces en nanofabrication, en abordant des problèmes tels que la diffusion du métal et le contact approprié du métal.
Explore la préparation de films minces, les mécanismes de croissance, les considérations de film organique, et les techniques de dépôt dans l'électronique.
Explore les mécanismes de croissance de films minces, les considérations de films minces organiques, les techniques de dépôt et le dessin pour les appareils électroniques.
