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Explore les corrections de l'effet de proximité dans la lithographie par faisceau d'électrons pour les petites et grandes caractéristiques, en soulignant l'importance de la modélisation de la fonction d'étalement du point de faisceau.
Explore le processus de gravure humide du verre et du silicium à l'aide de solutions à base de HF et de processus en salle blanche pour les etchants HF et BHF.
Explore les techniques de dépôt physique en phase vapeur, y compris les effets d'ombre et les spécifications de l'équipement pour les processus d'évaporation en micro et nanofabrication.
