Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
