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Explore l'intégration du silicium sur des substrats flexibles pour des applications bioélectroniques et la fabrication de réseaux de transistors multiplexés flexibles.
Examine les interactions ion-cible dans les processus de pulvérisation de PVD, couvrant le dépôt composé, les dommages de surface et les facteurs influençant les taux d'éjection des cibles.
Explore divers processus de dépôt chimique en phase vapeur, notamment APCVD, SACVD, LPCVD, UHV / CVD, PECVD et MOCVD, en se concentrant sur la croissance du film et les effets plasmatiques.
Couvre le transport de masse dans la couche limite, le transfert de gaz vers le substrat, le calcul du taux de croissance du film et les résultats expérimentaux.