Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Fournit une vue d'ensemble des diodes et des transistors, en se concentrant sur leurs principes, leurs caractéristiques et leurs mécanismes opérationnels dans les circuits électroniques.
